國產(chǎn)超級光刻機火熱刷屏 核心技術(shù)突破刻不容緩

近日，一篇名為《我國研制世界首臺分辨力最高紫外超分辨光刻裝備》的新聞報道在各大媒體瞬時刷屏，尤其是席卷了半導(dǎo)體領(lǐng)域，在相關(guān)業(yè)內(nèi)人士的朋友圈、微博受到大量轉(zhuǎn)載。但該火熱現(xiàn)象背后，引發(fā)了業(yè)內(nèi)專業(yè)人士的多方質(zhì)疑。

眾所周知，光刻機是制造芯片的核心裝備，我國在該領(lǐng)域長期落后，技術(shù)薄弱，話語權(quán)較低。而ASML光刻機以193納米波長光源，實現(xiàn)了達到7納米級的芯片蝕刻，其售價也達到近億美元。居高的產(chǎn)品成本和產(chǎn)品稀缺讓很多國家一度望而止步，一籌莫展。在高科技競爭嚴峻的當前，唯有提高自主創(chuàng)新技術(shù)能力，停止“拿來主義”，才能為半導(dǎo)體事業(yè)發(fā)展提供新出路，為科技大國建設(shè)提供源源不斷的新活力。

發(fā)展核心高科技產(chǎn)業(yè)，需要持之以恒的投入，這貫穿在科學(xué)事業(yè)革新的每個階段。微納光學(xué)制造技術(shù)作為現(xiàn)代先進制造的重要方向，其水平高低也是體現(xiàn)一個國家綜合實力的標志之一。如何研制出面向微納光學(xué)結(jié)構(gòu)制造的光刻裝備是相關(guān)科研工作者不懈的追求。

打破多年技術(shù)壁壘，11月29日，國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收，該裝備用365nm波長的紫外光單次成像實現(xiàn)了22nm的分辨率，為光學(xué)超材料/超表面、第三代光學(xué)器件、傳感芯片等納米光學(xué)加工提供了全新的解決途徑。該事件一經(jīng)報道，讓業(yè)內(nèi)沸騰不已，業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)借勢宣傳，蠢蠢欲動。

國產(chǎn)光刻機是“真?！边€是“吹?！?？專家對此爭議不斷。一些媒體更是夸大報道，《國產(chǎn)光刻機偉大突破，國產(chǎn)芯片白菜化在即》《突破荷蘭技術(shù)封鎖，彎道超車》《厲害了我的國，新式光刻機將打破“芯片荒”》等謠言肆意傳播，這同樣被一些外行人斷章取義，認為半導(dǎo)體芯片大步發(fā)展，實現(xiàn)國際領(lǐng)先。

在此過程中，不少業(yè)內(nèi)人士或一些專業(yè)媒體從業(yè)者經(jīng)過專業(yè)判斷與求證，狠狠打擊了不實報道。據(jù)悉，等離子體(surface plasmon,SP)光刻機屬于接觸式光刻，適用于光纖領(lǐng)域、5G天線等特殊應(yīng)用，或者是用于科研領(lǐng)域的單光子探測器。這對于實驗室科研、軍工等領(lǐng)域意義突出，可以一定程度上替代現(xiàn)在的e beam光刻。

但肯定科研成果并不意味著可脫離實際應(yīng)用影響。在項目驗收會上，專家也明確表示用于芯片需要攻克一系列技術(shù)難題，距離還很遙遠。中科院研制的光刻機該裝備還不具備用于產(chǎn)線上微電子芯片的制造能力，不能代替微電子芯片的制造。

經(jīng)過相關(guān)資料和專利查詢，世界上SP光刻機的研究機構(gòu)極少，主流的光刻機生產(chǎn)商都未投入相關(guān)的研究。主要原因被認為是無法應(yīng)用于商用芯片的制造，該技術(shù)存在應(yīng)用缺陷。當然，這并不是說否定科研成果，需要注意的是，在光刻機領(lǐng)域，還需要很長時間的研究投入和持續(xù)探索。

隨著人工智能的技術(shù)發(fā)展，以及物聯(lián)網(wǎng)、節(jié)能環(huán)保、新能源等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)推動，半導(dǎo)體的市場需求將持續(xù)增加。前瞻網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，2018年中國半導(dǎo)體設(shè)備銷售額預(yù)計達到118.1億美元?？v觀我國半導(dǎo)體市場，半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率為20%，國內(nèi)市場被國外巨頭壟斷。這一市場現(xiàn)狀正同樣倒逼著相關(guān)技術(shù)的迫切研發(fā)。

說到底，在光刻機研制方面，科學(xué)家正歷經(jīng)漫漫長路。唯成果論本就不是科學(xué)正確的態(tài)度。對待科技的每一次突破，社會各界都應(yīng)理性對待，戒驕戒躁，既不夸大其詞，也不妄自菲薄，還科研創(chuàng)新一個健康、公正、積極的利好環(huán)境。